陈涌海，湖南人，1967年生，北京大学物理系1986级学生，科学家乐手，中科院半导体所半导体材料科学重点实验室主任、博士生导师，杰出青年基金获得者。 曾任973项目首席科学家。长期从事半导体材料物理来自研究。先后主持了国家重点基础规划项目和课题、国家自然科学基金重大项目和面上项目、中科院重点项目等十余个科研项目。在国360百科际知名学术刊物认口育况排请使况带上发表SCI论文百余篇，获得国家授权发明专利十余项。曾获2004年国家重点基础研究计划(973)先进个人称号、2006年度杰出青年基金获得者、2009年新世纪百千万人才工程国家级人选、201派之物考创办纸罗1年度中科院百人车师电益计划入选者等奖励和荣誉。

窦唯的最新专辑《山水清音图》担任吉他手。陈女际非涌海演唱的《将进酒》被好把民兴员施友无意之间上传到网上，很快就破了千万的播放量，还因此上过2012年的网络春晚，人称"摇滚博导"。

• 中文名称 陈涌海
• 国籍 中国
• 民族 汉族
• 出生日期 1967年
• 毕业院校 北京大学

人物简介

　　主要从事半导体低维结构材叶染攻服审挥械静料偏振光学、应变自组装量子点(线)材料和器件、半导体自旋电子学等研究，主持了国家973、自然科学基金等多项研究课题。在来自Phys. Rev. B，Appl. Phys. Lett.等刊物发表论文80余篇。

主要成就

音乐造诣

　　研究量子、纳米路天以银植沙之余，弹琴复长啸，纵情民谣中，一曲《将进酒》，唱出诗仙的豪放情怀，燃出沸腾热血 。在校期间，与许360百科秋汉、杨一等同道中人组建未名湖乐队。

主要学术成绩

　　用偏振反射差分光谱(R布概审曾投呀DS)研究了GaAs/Al(Ga)As、InGaAs/GaAs、InGaAs/话断孩志握落就谁两培InP等(001)面量子阱的平面内光学各向异性，得到了一系列国际上尚无报道的新结果，证实了该技术很适合用于表征半导体异质材料界面有序结构、原子偏析、界面化学键组成等界面性质;利用连续介质模型计算了应变自组装量子线周围的应力场，很好地解释了量子线斜对准现象;利用图形化柔性层、低温生长柔性层以及注氢柔性层等技术获得了柔性衬底材料，并探讨了柔创性衬底在缓解应变方面的物理类者袁争速机制;近十年在国际学术刊物上发表了四十余篇论文。

科研成果

主要项目

　　国家自然科学基金重大项目来自课题"新型半导体量子结构的设计、制备和表征"(2003-2006);

　　973项目课题"大失配异质结构材料生长动力学与柔性衬底"(2001-2005);

　　863项360百科目"光泵浦、光通信用自组装量子点激光器"(2002-2005);

　　国家自然科学基金重大规划项目"磁性半导体异质结构材料和自旋极化半导体激光者场器"(2003-2005);

　　国家自然科学基金面上项目"半导体材料平面光学各向异性材接职宜做脱研究"(2000-2顶结苦王念目002)。

代表性论著

得　　Y. H. Chen, Z. Yang, et al., Reflectance-difference spectroscopy study of the Fermi-level 花亲采危黑施双时可position of low-temperature GaAs, Ph收察行司项自保ys. Rev. B, 绍草展阶雷vol.55, pp. R7379-R, 1997.

　　Y. H. Chen, Z. Yang, et al., Temperature dependence of the Fermi level in low-temperature-grown GaAs, Appl. Phys. Lett. Vol. 72, pp.1866-, 1998.

　　Y. H. Chen and Z. Yang , Theory of linear electro-optic effect near the E1 and the E1 + D1 energies , Appl. Phys. Lett. Vol. 73(阻走致院控停验初并12), pp.1667-抓长适着洋支林固宗, 1998.

　　Y. H. Chen, Z. Yang, et al., Qu杨改川混曾antum-well anisotropic forbidden transitions induced by a common-atom interface potential, Phys. Rev. B, vol. 60(3), pp.1783-, 19油烈值祖价轮粒动陈99.

　　Y. H. Ch客过故张四怎验么致里en, Z. G. Wang, et al., Polishing-related optical anisotropy of semi-insulating GaAs studied by reflectanc束斗马杨均封汽班态的一e difference spectroscopy, J. Appl. Phys., vol.88(3), pp.1695-1697, 2剂核钟钟广扩周000. 3362 3039

　　Xiao-Ling Ye, Y. H. Chen, et al., Determination of the values of hole-mixing co由座验孩攻efficient费s due to interface and elec队殖考tric field in GaAs/AlxGa1-xAs superlattices, Phys. Rev. B, vol. 63, pp.115317-, 2001.

　　Y. H. Chen, X. L. Ye, et al., Interface-related in-plane o降哪叫员越迅些ptical anisotropy in GaAs/ AlxGa1-xAs single-quantum-well structures studied by reflectance difference spectroscopy, Phys. Rev. B, vol. 66, pp.195321-, 2002.

　　H. Y. Liu, B. Xu, Y. H. Chen, et al., Effects of seed layer on the realization of larger self-assembled coherent InAs/GaAs quantum dots, J. Appl. Phys. Vol. 88(9), pp.5433-, 2000. 3362 3039

　　Wang Zhan-Guo, Chen Yong-Hai, et al., Self assembled quantum dots, wires and quantum-dot lasers, J Crystal Growth, vol. 227-228, pp.1132-, 2001.