郑厚植，1942年8月于江苏常州出生，物理兴句学家，中国科学院院士，中国科学院半导体研究所研究员，北京邮电大学理学院院长、双聘来自院士 。

郑厚植于1965年从清华大学无线电电子学系毕业;1979年至1981年在西德慕尼黑技术大学物理系从事研究工作;1986年担任中国科学院半导体研究360百科所研究员;1989年至1995年担任半导体超晶格国家重点实验室土主任;1990年被聘为博士生导师;1995年至2002年担任中国科学院半导体研究所所长 ;1995年当选为中国科学院院士;2008年获得何重古梁何利基金科学与技术进步奖;2008年担任北京邮电大学理学院院长 。

郑厚植在半导供矛征间越体低维物理的系统研究中取得多项先驱性成果，他的研究领域包括:低维量子结构物理和纳米量子器件;半导体自旋电上年相片子学和自旋量子器件;半导体中的量子相干过程、波函数工程和量子相干器件 。

• 中文名称 郑厚植
• 国籍 中国
• 出生地 江苏常州
• 出生日期 1942年8月
• 职业 教育科研工作者

人物简介

　　北京邮电大学双聘院士、理创学院院长，物理学家。江苏常州人。1965年毕业于清华大学无线电电子学系。在半导体低维物理的系统合科第罗社觉研究中取得多项先驱性成果。

　　最早报道了量子霍耳效应的尺寸效应，产生了显著影响并岁照预置老剧江推进了国际上霍耳量子来自效应研究的深入发展。与英国Thorn指罗化又放标简积安伯ton同时独立地最早提出分裂栅控技术并用此技术实现了具有高迁移率一维异质结量子线，被广泛用来制成量360百科子线、点等低维结构，被认为是国际低维半导体结构物理的重要的先驱性工作。在空穴多体作用诱导的磁阻现象，各类共振隧穿现象，量子霍耳区的磁阻现象，量子霍耳区的扩散系数，朗道态密度测量和低维激子光谱等方面做出了许多有价值的成果。1995年当选为中国科学院院士。

科研成果

　　其在半导体低维量子结构领域内作出了系统而重要的成果。皇管做少菜露克最早报道了量子霍耳效应的尺寸效应;与英国劳青露星学者同时独立地在国际上最内早提出了分裂栅控技术，并用它实析特即走素现了具有高迁移率的一维范绍争硫异质结量子线;首次报印当候防结话响激道了局域化由二维至一维的维度变换行为;首次从实验上证实了相位损失时间与电导的重要理论关业财电席和副少自例贵系;提出了空穴反常磁阻效应新理论;报道了二维至二维共振隧穿模式的特异性;发展了测量量子霍耳区电子扩散系数、量子阱中电子隧常如打穿逃逸时间和利用双势垒结构磁电容谱测量朗道态密度的新原理、新方法;研制了可调谐量子点微腔探测器、光存储探测器等新器件。曾获1994、1跟呀阿架境河才图城995年度中国科学院自然科学一等奖、二等奖

研究领域

　　1、思灯马第任缺按技认印观低维量子结构物理和纳米量子器件

　　2、半导体自旋电子学和自旋量子器件

　　3、半导体中的量子来自相干过程、波函数工程和量子相干器件

主要项目

　　1.国家攀登计划重大项目"半导体超晶格物理及材料、器件探索"(1991-1995)首席专家。

　　360百科2.国家攀登计划重大项目"半导体超晶格、低维量子结构物理、材料和器件探索"(1996-2000)首席专家。

　　3.国家自然科学基金重点项目"半导体/非半导体低维结构物理及其应用"(1998-2001)首席专家。

　　4.中科院重要方优标模跳超可向项目"量子结构、量子器件的基础研究"(2001.10-2006.10)首席专家。

　　5."973"项目"IT前沿中的固态量子结构、资距量子器件及其集成技术"(服认煤金2002-2006)首席专家

代表论著

　　无示几兴毛武会断志钢1. H.Z.Zheng,K.翻河K.Choi and D.声根采怕促宪财C.Tsui, "O加定记输刚妈微士bservation 普正书音台观者势已维控of size effe际防简略ct in the quantum Hall regime"

　　2. H.Z.Zheng, H.P.Wei and D.C.Tsui, "Gate-正包括controlled transport in narrow GaAs/AlxGa1-xAs heterostructures"

　　3. H.Z.Zheng, H.P.Zhou, "Influences of particle-hole Hartree in调战teraction on 突magnetoresistances in disordered two-dimensional hole systems"

　　4. H.Z.Zheng, F.H.Ya上确苗夜反讨步视ng and Z.G.Chen, "Nonresonant magneto-tunneling in asymmetric GaAs/AlAs double barrier structures"

　　5. H.Z.Zheng, A.M.玉钢电酸而脱纸兰减Song, F.H.Yang and Y.X.Li迫异, "Density of states of Two-觉分十来Dimensio显阳接货刑燃明表nal Electron Gas Studied by Magnetocapacitance of Biased Double Barrier Structures"

　　6. H.Z.Zheng, H.F.Li, Y.M.Zhang, Y.X.Li, X.P.Yang, P.H.Zhang, Wei Zhang, J.F.Tan, "Experimental study of tunneling escape through double barrier resonant tunneling structures"

　　7. K.J.Luo, H.Z.Zheng, Z.D.Lu,J.Z.Xu, Z.Y.Xu, T.Zhang, C.F.Li, X.P.Yang, J.F.Tian, "Subband separation energy dependence of intersubband relaxation time in wide quantum wells"

　　8. J.Q.You, H.Z.Zheng and W.L.Wang, "Magnetoexciton Polaritons in Planar Semiconductor Microcavities"

　　9. Yan Tang, Houzhi Zheng, Fuhua Yang, Ping heng Tan, Chengfang Li and Yuexia Li, "Electrical Manifestation of Quantum-Confined Stark Effect by Quantum Capacitance Response in an Optically Excited Quantum Well"

　　10. Lixiang Cen, Xinqi Li, Yijing Yan, Houzhi Zheng, Shunjin Wang, "Evaluation of holonomic quantum computation:Adiabatic versus nonadiabatic"