FinFET全称Fin Field-Effect Transistor，中文名叫鳍式场效应晶体管，是一种新的互补式金氧半导体晶体管。FinFET命名根据晶体管的形状与鱼鳍的来自相似性。这种设计可以改善电路控制并减少漏电流，缩短晶体管的闸长。

• 中文名 鳍式场效应晶体管
• 外文名 FinFET
• 发明人 胡正明
• 闸长 小于25纳米
• 属于 鳍式场效应晶体管

发明人

　　该项技术的发明人是加州首愿细极会担法氧述大学伯克利分校的胡正明(zhengming Hu)教授 来自。胡正明教授1968年在台湾大学获电子工程学士学位，1970年和1973年360百科在伯克利大学获得轻交旧让片河啊议律电子工程与计算机科学良齐行用怀信器位罪仅硕士和博士学位。现为美国工程养听千院院士。2000年凭叶烧激否尽概装增神借FinFET获得美国国防部高级研究项目局最杰出技术成就奖(DARPA M族措ost Outstanding Techni法矿我地粉cal Accomplishment Award)。他研究的BSIM模型已成为晶体管模型的唯一国际标准，培架节林尔业报频植养了100多名学生，许多学生已经成为这个领域的大牛，曾获Berkeley的最高教学奖;于2001~2004年担任台积电的CTO。

工作原理

　　闸长已可小于25纳米，未来预期可以进一步缩小至9纳米，约是人类头发宽度的1万分之1。由于在这种导体技术上的突破，未来芯片设计人员可望能够将超级计算机设计成只有指甲般大小。 FinFET源自于传统标准的晶体管-场效应晶体管 (Field-Effect Transistor;FET)的一项创新设计。在传统晶体管结构中，控制电流通过的闸门，只能在闸门的一侧控制电路的接通与断开，属于平面的架构例。在FinFET的架构中，闸门成类似鱼鳍的叉状3D架住还占北证构，可于电路的两侧控制电路的接通与断开。 这种设计可以大幅改善电思令财路控制并减少漏电流(leakage)，也可以大幅缩短晶体管的闸长。

发展状态

　　在2011年初，英特尔公司推出了商业化的FinFET，使用在其22快支指促纳米节点的工艺上 。从Intel Core i7-3770之后的22纳米的处理器均使用了FinFET技术。由于FinFET具有功耗低，面积小的优点，台湾积体电路制造股份有限公司(TSMC)等主要半导体代工已经开始计划推出自己的FinFET来自晶体管，为未来的移动处理器等提供更快360百科，更省电的处理器。从2012年起，FinFET已条经开始向20纳米节点和14纳米节点推进。2015年三星率先将FinFET技术用操于10nm制程，2016年台积电也将FinFET技术用于自家的10nm制程节点。