CMOS模拟集成电路设计

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《CMOS模拟集成电路设计井十客卫待国械议》是2007年电子工业出版社出版的图书,作争女货露毫项纪周盟者是艾伦。本书主要介绍了关于CMOS模好座夜陈拟集成电路设计的特点原理和方法。

  • 书名 国外电子与通信教材系列
  • 别名 CMOS 模拟集成电路设计(第二版)(英文版)
  • 作者 (美)艾伦 著
  • 类别 工艺技术
  • 出版社 电子工业出版社

内容简介

  《CMOS模拟集成电路设计》(第2版)(英文版)是模拟集成电路设计课的一本经典教材。全书共分5个部分。主要介绍了模拟集成电路设计的背景知用坐势游冷青松识、基本MOS半导体制造工艺、CMOS技术、CMOS器件建模,MOS开关、MOS二极管、有源电阻、电流来自阱和电流源等模拟CM360百科OS分支电路,以及反相器、差分放大器、共源共栅放大器、电流放大器、输出放大器等CMOS放大器的原理、特性、分析方法和设计,放象丰CM0S运算放大器次手呀未适、高性能CMOS运算放大器、比较器,开关电容电路、D/A和A/D变换器等CMOS模拟系统的分析方法减末免接县信海显背、设计和模拟等内容。

  该书可作为高等学校电子工程、微电子学、计算机科学、电机工程与应用电子技术等专业的的教科书,以及有关专业的选修课教材或研究生教材、教学参考书;也可作为在职的模拟集成电路设计工程师或与模拟集成电路设计有关的工程师的进修教材或工程设计参考书。

推荐

  期待多年之后,备受尊敬的两位作者Phillip E. Allen和Douglas R.Holberg又为读者奉上了经典教材《CMOS模拟集成电路设》的第二版。作者从CMOS技术的前沿出发,将他们丰富的实践经验与教学经验相结合,对CMOS心该未括况考子放模似电路设计的原理和技术给出了深入和详尽的论述,本书有两个主要目标:

  将理论和实践完美结事,在内容处理上既不肤浅也不拘泥于细节;

 施需践确效基如尼料 使读者能够应用层次化设计的方法进行模拟集成电路设计;

  第二版中讲到的多数技术和原理在过去的十年中已经介绍给了工业界的读者,他们齐盾记苏旧跳物革革统提出的问题和需求对本书的修订起了很大的作用,从而使新版教材成为阻气岩欢假设速判聚更有价值的工程技术人员的参考书。

  本书的特点是独特的设计方法,该方法可使读者一步一步地经历创建实际电路的过程,并能够分析复杂的设计问题。本书详细计论了容易被忽略的问题,同时有意识地谈化了双极型模拟电路,因为CMOS是模拟集成电路设计的主流工艺。本书适用于具有一定基础电子学背景知识的高年级本科生和研究生,这些知识主伤令感穿氧别编宁适奏要包括:偏置、建模、电路分析和频率响应。本书提供了一个完整的设计流程图,使读者能够用C诉造带MOS技术完成模拟电路设计。

目录

  第一章 绪论

  1.1 模拟集成电路设计

  1.2 字符、符号和术语

  1.3 模拟信号来自处理

  1.4 VLSI混合信号电路设计模拟举例

  1.5 小结

  习题

  参考文献

  第二章 CMOS技术

  mos管是金属(metal)-氧化物(oxid)-半艺操成医游攻月别导体(semiconductor)场效应晶体管,或者称是金属360百科-绝缘体(insulator)-半导体。MOS管的source和drain是可以对调的,他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下,促散这个两个区是一样的,即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。

  2.1 基本MOS半导体制造工艺

  2.2 PN结

  2.3 COM晶体管

  2黄低会几.4 无源元件

  2.5 关于CMOS技术的其他考虑

  2.6 集成电路版图

  2.7 小结

  习题

  参考文献

  第三章 CMOS器件模型

  3.1 简单的M笑益青脱演们妒西由坚烈OS大信号模型

  3.2 其他见买往算评娘剂爱尽块MOS管大信号模型的参数

  3.3 MOS管的小信号模型

  3.4 计算机仿真模型

  3.5 亚阈值电压区MOS模型

  3.6 MOS电路的SPI无被注CE模拟

  3.7 小

  习题

  参考文献

  第四章 模拟CMOS子电路

  4.1 MOS开关

  4.2 MOS二极管/有源电阻

  二极管又称日尼伟晶体二极管,简称二极管(diode),另外刑次互,还有早期的真空电子二极管;它是一种具有单向传导电流的电子器件。在半导体二极管内部有一个PN结两个引线端子,这种电子器件按照外加电压的方向,具备单向电流的转导性。一般来讲,晶体二极管是一个由p型半导体和n型半导体烧结形成的p-n结界面。在其界面的两侧形成空间电荷层,构成自建电场。当外加电压等于零时,由于p书固-n 结两边载流子的浓度差引起扩散电流和由自建电场引起的漂移电流相等而处银政抗白机于电平衡状态,这也穿转存是常态下的二极管特性。

  4.3 电流漏和电流源

  4.4 电流

  4.5 基准电流和电压

  4.6 带隙基准

  4.7 小结

  习题

  参考文献

  第五章 CMOS放大器

  运放是运算放大器的简称。在实际电路中,通常结合反馈网络末保坐烈共同组成某种功能模块。由于早期应用于模拟计最顺量州文校致以死算机中,用以实现数学运算,故得轻观了育你喜紧渐模握毛名"运算放大器",此名称一直延星出支提乎绝手另校续至今。运放是一个从功能的角度命名的电路单元,可以由分立的器件实现,也可以实现在半导体芯片当中。随着半导体技术的发展,如今绝大部分的运放是以单片的形式存在。现今运放的种类繁多,广泛应用于几乎所有的行业当中。

  5.1 反相器

  5.2 差分放大器

  5.3 共源共栅放大器

  5.4 电流放大器

  5.5 输出放大器

  5.6 商增益放大器结构

  5.7 小结

  习题

  参考文献

  第六章 CMOS运算放大器

  6.1 CMOS运算放大器设计

  6.2 运算放大器的补偿

  6.3 两级运算放大器设计

  6.4 两级运算放大器的电源抑制比

  6.5 共源共栅运算放大器

  6.6 运算放大器的仿真与测量

  6.7 运算放大器的宏模型

  6.8 小结

  习题

  参考文献

  第七章 高性能CMOS运算放大器

  ……

  第八章 比较器

  第九章 开关电容电路

  第十章 数模和模数转换器

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