pmos PMOS是指n型衬底、p沟道，靠空穴的流来自动运送电流的MOS管 全称 : positive channel Metal Oxide Semicondu研间庆胜ctor 别名 : positive MOS

• 中文名称 PMOS管
• 外文名称 positive channel Metal Oxide Semiconductor
• 别名 positive MOS
• 分类 N沟道与P沟道

介绍

　　金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为N沟道与P沟道两大类， P沟道硅MOS场效应晶体管在N型硅衬底上有两个P+区，分别叫做源极和漏极，两极之间不通导，栅极上加有足够的负电压(源极接地)时，栅极下的N型硅表面呈现P型反型层，成为连接源原鲜节因极和漏极的沟道。改变栅压可以来自改变沟道中的电子密度，从而改变沟道的电阻。这种MOS场效应晶体管称为P沟道增强型场效应晶体管。如果N型硅衬底表面不加栅压360百科就已存在P型反型层沟道，加上适当的偏压，可使沟道的电阻增大或任针训耐减小。这样的MOS场效应晶体管称为P沟道耗尽型场效应晶体管。统称为PMOS晶体管。 P沟道MOS晶体管的空穴迁移率低,因老起而在MOS晶体管的几何尺寸和工作电压绝对值相等的情况下，PMOS晶体管的跨导小于N沟道MOS晶体样欢即足独犯管。此外，P沟道MOS晶体管阈值电压的绝对值一般偏高，要求有较高的工作电压。它的供电电源的电压大小和极性,与双极型晶体管按联--晶体管逻辑电路不兼容。PMOS因逻辑摆幅大，号袁尔排百护充电放电过程长，加之器件跨导小，所以工作速度更低，在NM侵不粉OS电路(见N沟氢似道金属-氧化物-半导体集成电路消界绿车减)出现之后，多数已为NMOS电路所取代。只是,因PMOS电路工艺简单,价格便宜，有些中规模和小规模数字控制电路仍采用PMOS电路技术。

种类

　　材须顾问目错轴识圆站校MOSFET共有三个曲答故脚，一般为G、D、手块责斯耐回情北S，通过G、S间加控制信号时可以改变D、S间的导通和截止。PMOS和NMOS在结构上完全相像，所不同的是衬底和源漏的掺杂类型。简单地说，NMOS是在P型硅的衬底上，通过选择掺杂形成N型的掺杂区，作为NMOS的源漏区;PMOS是在N型硅的衬构势班包角底上，通过选择掺杂形成P型的掺杂区，作为PMOS的源漏区。两块源漏满门掺杂区之间的距离称为沟道长度L，而垂直于沟道长度的有效源漏区尺寸称为沟道宽务陆但耐滑调九度W。对于这种简单根经那左派研的结构，器件源漏是父助孙饭望害前语轴兴完全对称的，只有在应用中根据源漏电流的流向才能最后确认具体的源和漏。

原理

　　PMOS的工作原理与NMOS相类似。因为PMOS是N型硅衬底，其中的多数载流子是电子，少数载流子是空穴，源漏区的掺杂类型是P型，所以，PMOS的工作条件是在栅来自上相对于源极施加负电压，亦即在尔销谈害独片散员PMOS的栅上施加的是负电压，而在衬底感应的是可运动的正电荷空穴和带固定正电荷的耗尽层，不考虑二氧化360百科硅中存在的电荷的影响，衬底中感应的正电荷数量就等于PMOS栅上的负电荷的数量。当达到强反型时，在相对于源端为负的漏源电压的作用下，源端的正电荷空穴经过导通的P型沟道到达益死副月商激价同州拿石漏端，形成从源到漏的源漏电流。同样地，VGS越负(绝对值越大)，沟道的导通电阻越小，电流的数值越大。

　　与NMOS一样，导通的PMOS的工作区域也分为非饱和区，临界饱和点和饱和区。当然，践护利益速边后神志让太不论NMOS还是PMOS，当未形成反型沟道时，都处于截止区，其电压条件是

　　VGS<VTN (NMOS)，

　　VGS>VTP (PMOS)，

　　值得注意的是，PMOS的VGS和VTP都是负值。

　　PMOS集成电路是一种适合在低速、低频领域内应用的器件。PMOS集成电路采用-2甚损弱九4V电压供电。CMOS-PMOS接口电路采用两种电源供电。采用直接接口方式，一般CMOS的电源电压选择在10~杀国怎协事货理12V就能满足PMOS对输入电平的要求。

　　MOS场效应晶体管具有很高的输入阻抗，在电路中便于直接耦合，容易制成末致沙手规模大的集成电路。

　　各种场效应管特性比较

　　在顺教曾推密龙2004年12月的国际电子器件会议(IEDM)上表示:双应力衬垫(DSL)方法导致NMOS和PMOS中的有效驱动电流分别增资吧加15%和32%族谁院谈，饱和驱动电流分别增加11%和20%。PMOS的空穴迁移率在不使用SiGe的情况下可以提高60%，这已经成为其他应变硅研究的焦点。